如果DRAM内存条价格确实被三家寡头企业操纵，那么假如在前述反垄断法配套规则没有统一前自首，这三家企业中的某“带头大哥”或许还能免于中国执法者的处罚。但是，这样的可能性很低，因为在欧美国家，组织卡特尔的企业即便自首也无法逃脱处罚，而且可能面临高额民事赔偿，甚至会有涉案经理人锒铛入狱。
所以，除非相关企业内部经理人间出现“内讧”，通过向反垄断执法机构提交价格操纵的证据，使部分高管通过“借刀杀人”排除异己，否则外界恐怕很难获得这样的证据。
三、美光是否涉嫌滥用市场支配地位？
实际上，半导体市场面临从二维NAND闪存（2D NAND Flash）转移至三维NAND闪存（3D NAND Flash）的技术迭代，三星、SK海力士和美光在加大投资技术更先进的NAND闪存的同时，再继续扩大DRAM内存条产能的边际收益很可能是递减的。因此，即便不进行任何形式的交流，通过“不谋而合”地限制产能来推高价格无疑是最符合这三家企业共同利益的。
但是，技术迭代仍旧会有个过程，市场对二维NAND闪存的需求仍旧会持续相当一段时间，因此也吸引了一些厂家进入二维NAND闪存市场，其中也包括中国企业。在这种情况下，如果内存条市场的三大寡头限制新进入者获得二维NAND闪存上游原材料、生产设备、技术授权，就可能涉嫌构成滥用共同市场支配地位。
根据媒体报道，安徽合肥的睿力集成电路有限公司、福建泉州的晋华集成电路有限公司两家公司的内存生产线将会在2018年中期投产，而紫光集团下属的长江存储科技有限责任公司则计划在2020年投产。在这样的背景下，人才的争夺、知识产权争议也将随之成为这一行业的焦点。
例如，2017年12月，美光就曾以其前员工在跳槽到台湾半导体企业联电（联华电子股份有限公司）后将技术资料泄露给联电的合作伙伴晋华为由，在美国加州法院起诉晋华；随即，晋华也以美光侵犯其知识产权为由，在福州市中级人民法院起诉美光侵犯晋华专利，请求法院判决美光停止加工、使用、进口、销售、许诺销售侵犯晋华专利的任何侵权产品，立即销毁全部库存侵权产品及加工、使用侵权产品的全部相关设备，并赔偿人民币 1.96 亿元。
晋华与美光是否可能达成庭外和解尚未可知，但是对于已经在内存条市场具有较高市场份额，涉嫌与三星、SK海力士构成共同市场支配地位的美光而言，显然要在保护自身知识产权的同时，遵守我国《反垄断法》和2015年8月1日正式实施的《关于禁止滥用知识产权排除、限制竞争行为的规定》（国家工商行政管理总局令第74号），避免借保护知识产权之名，行排除、限制竞争之实。
四、反垄断会否从内存行业扩大至其他行业？
除了可能因限制产能、产量、价格竞争，或者划分客户等垄断协议和滥用市场支配地位行为违反《反垄断法》外，内存条厂家还可能因在华内存条分销市场中限制最低转售价格而违反《反垄断法》第十四条。
从2013年国家发改委督办贵州省发改委和四川省物价局分别查处两省纳税大户——茅台、五粮液近五年的限制经销商最低转售价格行为，并按上年度相关销售额1%的下限予以处罚后，发改委系统已经先后查处了外资品牌镜片企业，外资、合资品牌汽车厂家，施乐宝、美敦力等外资医药、医疗器械与耗材企业，以及海尔集团、上海光明集团等国有企业的子公司，VIVO等民营企业违反《反垄断法》限制最低转售价格行为，还对相关行业一些分销商的横行限制竞争协议进行了处罚。通过梳理这些案件不难发现，厂家往往会通过限制经销商间的价格竞争，来促成推高产品出厂价格和零售价格的目的。
责编：吴正丹
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